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PECVD管式炉:1700度高温管式炉+混气系统

文章出处:洛阳西格马高温电炉 人气:187 发表时间:2021-04-08

PECVD型等离子增强化学气相沉积系统管式炉

SGM PECVD管式炉系统由高温管式炉、高真空扩散泵/分子泵系统,多通道高精度数字质量流量控制系统,自动压强控制系统等组成。可实现本底真空达0.001—0.0001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验, 适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长等场所。

PECVD管式炉主要功能特点:           

1、  真空系统可根据使用要求选择我司扩散泵机组或分子泵机组;

2、  可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制;

3、  数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;

4、  每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全可靠。

5、  采用水冷KF快速法兰密封,装卸方便快捷;

6、  管路采用卡套连接,不漏气;

7、  超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,保证设备及实验的安全性。

PECVD管式炉主要技术参数:

SGM -1700度

高温管式炉

控温方式

采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制50段升降温程序。

加热元件

进口1700型优质硅钼棒

工作电源

AC220V  50Hz/60Hz

额定功率

6kw

炉管材质

99瓷氧化铝刚玉管

炉管尺寸

Φ60/80/100*/1000mm

工作温度

≤1600℃

设计温度

1650℃

恒温精度

±1℃

升温速度

≤10℃/min

测温元件

B型热电偶

密封方式

不锈钢水冷KF法兰挤压密封

 ZK

真空系统

 

ZK-F

ZK-K

真空范围

0.1-0.001Pa

0.1-0.01Pa

极限真空

5.0*10^-5Pa

5.0*10^-4Pa

产品配置

双级旋片真空泵+分子泵

双级旋片真空泵+扩散泵

冷却方式

风冷

水冷

抽 速

110L/S

100L/S

测量方式

复合真空计

真空规管

电阻规+电离规

ZDC-I

压强控制系统

测量范围

1*10^5~1*10^-1 Pa

稳压(真空)范围

1*10^3~1*10Pa

压力(稳定精度)

±3%

控制范围

2.5*10^3~5*10^-1 Pa

控制精度

± 1%

 

 

HQZ-Ⅲ

混气系统

 

控制方式

D07-7K质量流量计,D08流量显示仪

流量规格(可订制)

0-500SCCM /0-1SLM,

线 性

±1%F.S.

准确度

±1%F.S.

重复精度

±0.2%F.S.

响应时间

≤2sec

耐 压

3MPa

气路通道

3通道(根据客户需求)

针 阀

316不锈钢

管 道

Φ6mm不锈钢管

接 口

SwagelokΦ6mm

pecvd什么意思?

PECVD全程等离子增强化学气相淀积; 等离子增强型化学气相沉积; 等离子体化学气相淀积; 等离子体增强化学气相沉积系统; 等离子体增强型化学气相淀积;

为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD优点:

基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。

缺点如下:

1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;

2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光ontcolor="#136ec2">辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;

3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

 

例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。

 

美国NANOMASTER公司PECVD

此文关键词: PECVD管式炉:1700度高温管式炉+混气系统

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