PECVD管式炉:1700度高温管式炉+混气系统
PECVD型等离子增强化学气相沉积系统管式炉
SGM PECVD管式炉系统由高温管式炉、高真空扩散泵/分子泵系统,多通道高精度数字质量流量控制系统,自动压强控制系统等组成。可实现本底真空达0.001—0.0001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验, 适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长等场所。
PECVD管式炉主要功能特点:
1、 真空系统可根据使用要求选择我司扩散泵机组或分子泵机组;
2、 可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制;
3、 数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;
4、 每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全可靠。
5、 采用水冷KF快速法兰密封,装卸方便快捷;
6、 管路采用卡套连接,不漏气;
7、 超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,保证设备及实验的安全性。
PECVD管式炉主要技术参数:
SGM /1700度 高温管式炉 |
控温方式 |
采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制50段升降温程序。 |
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加热元件 |
1700型质硅钼棒 |
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工作电源 |
AC220V 50Hz/60Hz |
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额定功率 |
6kw |
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炉管材质 |
99瓷氧化铝刚玉管 |
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炉管尺寸 |
Φ60/80/100*/1000mm |
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工作温度 |
≤1600℃ |
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设计温度 |
1650℃ |
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恒温精度 |
±1℃ |
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升温速度 |
≤10℃/min |
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测温元件 |
B型热电偶 |
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密封方式 |
不锈钢水冷KF法兰挤压密封 |
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ZK 真空系统 |
ZK-F |
ZK-K |
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真空范围 |
0.1-0.001Pa |
0.1-0.01Pa |
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极限真空 |
5.0*10^-5Pa |
5.0*10^-4Pa |
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产品配置 |
双级旋片真空泵+分子泵 |
双级旋片真空泵+扩散泵 |
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冷却方式 |
风冷 |
水冷 |
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抽 速 |
110L/S |
100L/S |
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测量方式 |
复合真空计 |
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真空规管 |
电阻规+电离规 |
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ZDC-I 压强控制系统 |
测量范围 |
1*10^5~1*10^-1 Pa |
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稳压(真空)范围 |
1*10^3~1*10Pa |
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压力(稳定精度) |
±3% |
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控制范围 |
2.5*10^3~5*10^-1 Pa |
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控制精度 |
± 1% |
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HQZ-Ⅲ 混气系统
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控制方式 |
D07-7K质量流量计,D08流量显示仪 |
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流量规格(可订制) |
0-500SCCM /0-1SLM, |
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线 性 |
±1%F.S. |
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准确度 |
±1%F.S. |
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重复精度 |
±0.2%F.S. |
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响应时间 |
≤2sec |
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耐 压 |
3MPa |
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气路通道 |
3通道(根据客户需求) |
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针 阀 |
316不锈钢 |
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管 道 |
Φ6mm不锈钢管 |
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接 口 |
SwagelokΦ6mm |
pecvd什么意思?
PECVD全程等离子增强化学气相淀积; 等离子增强型化学气相沉积; 等离子体化学气相淀积; 等离子体增强化学气相沉积系统; 等离子体增强型化学气相淀积;
为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
PECVD点:
基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。
缺点如下:
1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;
2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光ontcolor="#136ec2">辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;
3.对小孔孔径内表面难以涂层等。
例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路设计后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。
美国NANOMASTER公司PECVD
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